Книга
Гальваномагнитные и термоэлектрические явления в тонких пленках висмута и сплавов висмут-сурьма
Монография написана с учетом последних достижений физики полуметаллов и низкоразмерных структур на их основе, вклада научной школы и лаборатории физики полуметаллов РГПУ им. А. И. Герцена в формирование и развитие науки о полуметаллах и узкозонных полупроводниках на основе висмута и твердых растворов системы висмут-сурьма и низкоразмерных структур на их основе. Для тонких пленок висмута и твердых растворов висмут-сурьма рассмотрены закономерности процессов кристаллизации, электрических, гальваномагнитных, термоэлектрических, магнитотермо-электрических явлений, классических и квантовых размерных явлений, механизмы влияния деформации в системе пленка-подложка на явления переноса, обсуждаются причины роста концентраций носителей заряда в пленках при уменьшении их толщины. Монография предназначена для специалистов-исследователей в области физики конденсированного состояния, для студентов магистратуры по физике конденсированного состояния, аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в области физики полуметаллов и узкозонных полупроводников, физики явлений переноса, размерных явлений и наноструктур.
1. Абдулаев А. А. и др. Оптические свойства сплавов висмут-сурьма // Письма в ЖЭТФ. 1973. Т. 17, № 6. С. 292-295.
2. Абрикосов А. А. Некоторые вопросы теории полуметаллов // ЖЭТФ. 1973. Т. 65, № 5. С. 2063-2074.
3. Абрикосов А. А., Брандт Н. Б. Новые состояния вещества // Вестник АН СССР. 1973. № 2. C. 3-13.
4. Абрикосов А. А., Фальковский Л. А. Теория электронного энергетического спектра металлов с решеткой типа висмута // ЖЭТФ. 1962. Т. 43, № 3. С. 1089-1101.
5. Аверкин А. А. и др. Влияние давления на электрические свойства висмута // ФТТ. 1971. Т. 13, № 2. С. 378-381.
6. Аверкин А. А. и др. О зоне тяжелых электронов проводимости в висмуте // ФТТ. 1972. Т. 14, № 4. С. 1136-1139.
7. Аверкин А. А., Богомолов В. Н. Автономная камера высокого давления // ПТЭ. 1972. № 3. С. 224-225.
8. Алексеева В. Г. и др. Bi-Sb - новый полупроводниковый материал // Радиотехника и электроника. 1978. Т. 23, № 9. С. 1926-1939.
9. Алексеевский Н. Е. и др. Электроны проводимости / под ред. М. И. Кайга-нова, В. С. Эдейльмана. М.: Наука, 1984. 416 с.
10. Беленький В. З. Геометрико-вероятностные модели кристаллизации. М.: Наука, 1980. 84 с.
11. Блатт Ф. Д. Теория подвижности электронов в твердых телах. М.: Физмат-лит, 1963. 224 с.
12. Богод Ю. А. Влияние границ и внутренних возбуждений на кинетику электронов проводимости в полуметаллах. Харьков: ФТИНТ АН УССР, 1984. 30 с.
13. Бондаренко М. Г., Грабов В. М., Урюпин О. Н. Магнитосопротивление и магнитотермоэдс в легированных оловом висмуте и сплавах висмут-сурьма при существенной роли межзонного рассеяния // Физика твердого тела. Материалы межвуз. науч. конф. Барнаул: БГПИ, АГУ, 1982. С. 57-58.
14. Брандт Н. Б. и др. Переходы полупроводник - полуметалл у сплавов Bi-Sb с невысокой концентрацией Sb // ФТТ. 1977. Т. 19, № 7. С. 2107-2116.
15. Брандт Н. Б. и др. Электронная поверхность Ферми у полуметаллических сплавов Bi1-xSbx (0.23 < х № 0.56) // ЖЭТФ. 1982. Т. 83, № 6. С. 2152-2169.
16. Брандт Н. Б., Мощалков В. В., Чудинов С. М. Изменение связности электронной изоэнергетической поверхности у Bi под давлением // Письма в ЖЭТФ. 1977. Т. 25, № 8. С. 361-365.
17. Брандт Н. Б., Чудинов С. М., Караваев В. Г. Исследование беcщелевого состояния, индуцированного магнитным полем, в сплавах висмут-сурьма // ЖЭТФ. 1976. Т. 70, № 6. С. 2296-2317.
18. Бубнов Ю. А., Грабов В. М. Изменение анизотропии кинетических явлений в сурьме и сплавах сурьма-висмут в зависимости от степени легирования донорными и акцепторными примесями // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: материалы V Всесоюз. симпоз. Ч. 2. Львов: Львовский гос. ун-т им. Ив. Франко, 1980. С. 247-249.
19. Бурчакова В. И. Исследование структуры и физические свойства тонких пленок висмута в зависимости от условий конденсации. Кишинев, 1973. 130 c.
20. Буянова Е. П. и др. Определение параметров закона дисперсии носителей у полупроводниковых сплавов Bi1-xSbx n-типа // ФТТ. 1978. Т. 20, № 7. С. 1937-1946.
21. Вол А. Е. Строение и свойства двойных металлических систем. М.: Физ-матгиз, 1963. 223 с.
22. Волков Б. А., Фальковский Л. А. Электронная структура полуметаллов группы V // ЖЭТФ. 1983. Т. 85, № 6. С. 2135-2151.
23. Волков В. А., Панкратов О. А., Сазонов А. В. Зонная структура полупроводников группы А3B5 в приближении сильной связи на p-орбиталях // ФТП. 1982. Т. 16, № 10. С. 1734-1742.
24. Волощук В. М. Кинетическая теория коагуляции. Л.: Гидрометеоиздат, 1984. 284 с.
25. Воров Ю. Г. и др. Влияние давления на кинетические параметры висмута и сплавов висмут-сурьма, легированных акцепторными примесями // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: материалы V Все-союз. симпоз. Ч. 2. Львов: Львовский гос. ун-т им. Ив. Франко, 1980. С. 245- 246.
26. Гантмахер В. Ф., Левинсон И. Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. М.: Наука, 1984. 350 с.
27. Гельмонт Б. Л., Иванов-Омский В. И., Цидильковский И. М. Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников // УФН. 1976. Т. 120, № 3. С. 337-362.
28. Гицу Д. В. и др. Явления переноса в висмуте и его сплавах. Кишинев: Штиинца, 1983. 266 с.
29. Гицу Д. В. Комплексное исследование явлений переноса в висмуте и сплавах висмут-сурьма, легированных донорными примесями: дис. … д-ра физ.-мат. наук / ЛГПИ им. А. И. Герцена, 1973. 438 с.
30. Гицу Д. В., Иванов Г. А., Попов А. М. О термоэлектродвижущей силе в висмуте и его сплавах с теллуром // ФТТ. 1962. Т. 4, № 1. С. 22-28.
31. Глухова Т. И. и др. Электрические свойства квазибинарных сплавов (Bi-Sb)-Te // Вопросы кристаллизации и физики твердого тела: ученые записки ЛГПИ им. А. И. Герцена. Т. 265. Л.: ЛГПИ им. А. И. Герцена, 1965. P. 234-241.
32. Грабов В. М. и др. Атомно-силовая микроскопия декорированных оксидированием дефектов пленок висмута // ФТТ. 2009. Т. 51, № 4. С. 800-802.
33. Грабов В. М. и др. Магнитная восприимчивость сплавов висмут-сурьма и висмута, легированных оловом и свинцом // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: материалы IV Всесоюз. симпоз. Львов: Львовский гос. ун-т им. Ив. Франко. 1975. С. 31-35.
34. Грабов В. М. и др. Размерный эффект в гальваномагнитных явлениях в пленках висмута, легированного теллуром // ФТП. 2014. Т. 48, № 5. С. 648-653.
35. Грабов В. М. и др. Термоэдс сплавов висмут-сурьма // Тез. докл. симпоз. по полупроводникам с малой шириной запрещенной зоны. Львов: Львовский гос. ун-т им. Ив. Франко, 1969. С. 39-40.
36. Грабов В. М. и др. Явления переноса в монокристаллических пленках висмута // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена. 2010. № 122. С. 22-31.
37. Грабов В. М. Энергетический спектр и механизмы релаксации носителей заряда в легированных кристаллах висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма: дис. … д-ра физ.-мат. наук / Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, 1998. 603 с.
38. Грабов В. М., Демидов Е. В., Комаров В. А. Атомно-силовая микроскопия пленок висмута // ФТТ. 2008. Т. 50, № 7. С. 1312-1316.
39. Грабов В. М., Демидов Е. В., Комаров В. А. Оптимизация режимов термического осаждения в вакууме пленок висмута при контроле их дефектности методом атомно-силовой микроскопии // ФТТ. 2010. Т. 52, № 6. С. 1219- 1222.
40. Грабов В. М., Иванов К. Г. Магнитная восприимчивость сплавов висмут-сурьма, легированных оловом // ФТТ. 1974. Т. 16, № 10. С. 3153-3154.
41. Грабов В. М., Комаров В. А., Демидов Е. В. Гальваномагнитные и термоэлектрические явления в тонких пленках висмута и сплавах висмут-сурьма: монография. Санкт-Петербург: Изд-во РГПУ им. А. И. Герцена, 2011. 124 с.
42. Грабов В. М. и др. Использование метода зонной перекристаллизации под покрытием для получения монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма // Письма в Журнал технической физики. 2015. Т. 41, № 1. С. 20-27.
43. Грабов В. М. и др. Блочная структура кристаллов висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма, выращенных методом зонной перекристаллизации // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1982. Т. 18, № 1. С. 33-37.
44. Грабов В. М. и др. Межэкстремумное рассеяние носителей заряда и термоэлектрическая эффективность сплавов висмут-сурьма // Полупроводниковые материалы для термоэлектрических преобразователей. Л.: ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР, 1985. С. 30-31.
45. Грабов В. М. и др. Микроохладитель Нернста // Полуметаллы и узкозонные полупроводники под влиянием внешних воздействий. Кишинев: Штиинца. 1983. С. 151-172.
46. Грабов В. М. и др. Общая закономерность, определяющая величину, температурную и концентрационную зависимость удельного сопротивления кристаллов типа висмута // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена. 2006. Т. 6, № 15. С. 86-100.
47. Грабов В. М. и др. Особенности структуры пленок висмута, полученных методом термического испарения в вакууме // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена. 2009. № 95. С. 105-120.
48. Грабов В. М. и др. Упругие свойства и силы связи в полуметаллах V группы и их сплавах // ФТТ. 1985. Т. 27, № 7. С. 2017-2024.
49. Грабов В. М. и др. Физика полуметаллов и низкоразмерных структур на их основе: учебное пособие. Санкт-Петербург: Изд-во РГПУ им. А. И. Герцена, 2001. 293 с.
50. Грабов В. М. и др. Переход полуметалл - полупроводник в сплавах висмут-сурьма // ФТТ. 1969. Т. 11, № 12. С. 3653-3655.
51. Грабов В. М. Исследование термоэдс и теплопроводности висмута и его сплавов: дис. … канд. физ.-мат. наук. ЛГПИ им. А. И. Герцена, 1967. 190 с.
52. Грабов В. М. Общие закономерности в температурной зависимости удельного сопротивления полуметаллов // Материалы для термоэлектрических преобразователей: тез. докл. III Межгосударственного семинара, Санкт-Петербург, ноябрь 1992 г. СПб.: ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, 1993. С. 42-43.
53. Грабов В. М. Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы // Материалы VII Всесоюзного симпозиума. Ч. 2. Львов, 1986. С. 194-196.
54. Грабов В. М., Иванов Г. А. О поведении дифференциальной термоэдс в сплавах висмута // ФТТ. 1966. Т. 8, № 8. С. 2460-2461.
55. Грабов В. М., Иванов Г. А., Понарядов В. С. Термоэдс и теплопроводность сплавов висмут-сурьма, легированных теллуром // ФТТ. 1970. Т. 12, № 1. С. 267-272.
56. Грабов В. М., Комаров В. А., Каблукова Н. С. Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута и сплавов висмут-сурьма на подложках с различным температурным расширением // ФТТ. 2016. Т. 58, № 3. С. 605-611.
57. Грабов В. М., Кудачин В. В., Мальцев А. С. Анизотропия плазменного отражения и закон дисперсии электронов в сплавах висмут-сурьма, легированных донорными примесями // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: материалы VII Всесоюз. симпоз. Ч. 2. Львов: Львовский гос. ун-т им. Ив. Франко, 1986. С. 167-169.
58. Грабов В. М., Мальцев А. С. Анизотропия плазменного отражения и закон дисперсии электронов в висмуте, легированном донорными примесями // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: материалы VI Всесоюз. симпоз. Львов: Львовский гос. ун-т им. Ив. Франко, 1983. С. 231-232.
59. Грабов В. М., Панарин А. Ф., Худякова И. И. Влияние межзонного рассеяния на явления переноса в висмуте и сплавах висмут-сурьма, легированных акцепторными примесями // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: материалы V Всесоюз. симпоз. Ч. 1. Львов: Львовский гос. ун-т им. Ив. Франко, 1980. С. 217-219.
60. Грабов В. М., Яковлева Т. А. Рекомбинационное рассеяние и зависимость подвижностей носителей заряда в сплавах висмут-сурьма от их состава // Физика твердого тела: материалы межвуз. науч. конф. Барнаул: БГПИ, АГУ, 1982. С. 36-37.
61. Гроссе П. Свободные электроны в твердых телах. М.: Мир, 1982. 270 с.
62. Грязнов О. С. и др. Влияние межзонного механизма рассеяния на кинетические явления в p-Bi1-xSbx // ФТТ. 1982. Т. 24, № 8. С. 2335-2343.
63. Демидов Е. В. Блочная структура пленок висмута и ее влияние на подвижность носителей заряда: дис. … канд. физ.-мат. наук / РГПУ им. А. И. Герцена, 2009. 150 с.
64. Демидов Е. В. и др. Особенности проявления квантового размерного эффекта в явлениях переноса в тонких пленках висмута на подложках из слюды // Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53, № 6. С. 736-740.
65. Демидов Е. В. и др. Состояние топологического изолятора в тонких пленках висмута под воздействием плоскостной деформации растяжения // Физика твердого тела. 2018. и др. 60, № 3. С. 452-455.
66. Демидов Е. В. и др. Измерение толщины блочных пленок висмута методом атомно-силовой микроскопии с применением избирательного химического травления // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51, № 7. С. 877- 879.
67. Демидов Е. В. и др. Наблюдение магнитного квантования в монокристаллический пленках системы висмут-сурьма // Термоэлектрики и их применения. Доклады Межгосударственной конференции 2014 (ноябрь 2014) / под ред. М. И. Федорова, Л. Н. Лукьяновой. СПб.: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 2015. С. 150-154.
68. Джонс Г. Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах. М.: Мир, 1968. 264 с.
69. Дивин Н. П., Иванов Г. А., Джумиго А. М. Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: материалы V Всесоюз. симпоз. Львов: Львовский гос. ун-т им. Ив. Франко, 1980. С. 241-243.
70. Дивин Н. П., Иванов Г. А., Насыбуллин Р. А. Электроны и фононы в сегне-тоэлектриках. Л.: ЛГПИ им. А. И. Герцена, 1979. C. 96-99.
71. Дубровский В. Г., Цырлин Г. Э. Кинетика роста тонких пленок при зародышевом механизме формирования слоев // ФТП. 2005. Т. 39, № 11. С. 1312- 1319.
72. Дубровский В. Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. М.: Физматлит, 2009. 352 с.
73. Жданова В. В. и др. Влияние двойниковых прослоек на тепловое расширение висмута и его сплавов с сурьмой // Физика твердого тела. 1971. Т. 13, № 1. С. 199-204.
74. Жерихин А. Н. и др. Импульсное лазерное напыление квантоворазмерных пленок висмута // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2000. № 6. С. 79-83.
75. Займан Д. М. Электроны и фононы. Теория явлений переноса в твердых телах / под ред. В. Л. Бонч-Бруевич. М.: Изд-во иностранной литературы, 1962. 488 с.
76. Иванов Г. А., Грабов В. М., Михайличенко Т. В. Влияние дефектов структуры на гальваномагнитные явления в пленках висмута // ФТТ. 1973. Т. 15, № 2. С. 573-575.
77. Иванов Г. А. и др. Влияние двойников на электрические и гальваномагнитные свойства висмута // ФТТ. 1973. Т. 15, № 8. С. 2547-2548.
78. Иванов Г. А. и др. Влияние двойников на явления переноса в висмуте // ФММ. 1976. Т. 41, № 1. С. 763-768.
79. Иванов Г. А. и др. Термоэлектрическая добротность чистых и легированных сплавов висмут-сурьма в магнитном поле // ФТП. 1972. Т. 6, № 7. С. 1295- 1299.
80. Иванов Г. А. К расчету концентрации и подвижности носителей тока в висмуте // ФТТ. 1964. Т. 6, № 3. С. 938-940.
81. Иванов Г. А. Электрические и гальваномагнитные свойства висмута и его сплавов /твердые растворы/ в широком температурном интервале: дис. … д-ра физ.-мат. наук / ЛГПИ им. А. И. Герцена, 1964. 241 с.
82. Иванов Г. А. Электрические свойства монокристаллов твердых растворов теллура в висмуте в интервале температур 77-300 К // ФТТ. 1963. Т. 5, № 11. С. 3173-3178.
83. Иванов Г. А. Электрические свойства сплавов висмута. IV. К расчету электрических свойств двойных сплавов висмута // ФТТ. 1959. Т. 1, № 10. С. 1600-1608.
84. Иванов Г. А., Грабов В. М. О теплопроводности и законе Видемана - Франца в висмуте и его сплавах // Вопросы кристаллизации и физики твердого тела. Л.: ЛГПИ им. А. И. Герцена, 1965. С. 254-263.
85. Иванов Г. А., Грабов В. М. Физические свойства кристаллов типа висмута // ФТП. 1955. Т. 29, № 5/6. С. 1040-1050.
86. Иванов Г. А., Грабов В. М. Физические свойства полуметаллов типа висмута // ФТП. 1995. Т. 29, № 5. С. 1040.
87. Иванов Г. А., Левицкий Ю. Т., Ланкин С. В., Налетов В. Л. Диаграммы вращения магнитосопротивления и магнитермоэдс двойниковых кристаллов висмута // ФММ. 1981. Т. 52, № 1. С. 200-203.
88. Иванов Г. А., Попов А. М. Электрические свойства сплавов висмут-сурьма // ФТТ. 1963. Т. 5, № 9. С. 2409-2419.
89. Иванов Г. А., Регель А. Р. Электрические свойства сплавов висмута // ЖТФ. 1955. Т. 25, № 1. С. 49-65.
90. Иванов Г. А., Суровцев А. Н. Сравнение действия олова и свинца на зонную структуру висмута // ФТТ. 1973. Т. 15, № 11. С. 3412-3413.
91. Иванов Г. А., Чистяков Б. И. Электрические свойства тройных сплавов висмута в интервале температур 77-450 К // ФММ. 1963. Т. 16, № 6. С. 848-855.
92. Иванов К. Г., Крылов А. С., Калугина И. К. Выращивание монокристаллов висмут-сурьма // ПТЭ. 1975. № 2. С. 225-226.
93. Иванов Ю. В. и др. Влияние неоднородности образца и флуктуаций параметра порядка на теплоемкость YВa2Cu3Ox вблизи сверхпроводящего перехода // СФХТ. 1994. Т. 7, № 1. С. 48-61.
94. Иноземцев В. А., Грабов В. М. Влияние наклона электронных эллипсоидов на дисперсию геликонов в Bi88Sb12Te0.05 // ФТТ. 1978. Т. 20, № 5. С. 1536- 1537.
95. Кикоин И. К. Таблицы физических величин. Справочник. М.: Атомиздат, 1976. 1008 с.
96. Колпачников Г. Н., Налетов В. Л. Выращивание монокристаллов Bi-Sb методом зонной перекристаллизации // Ученые записки ЛГПИ им. А. И. Герцена. 1968. Т. 384, № 4. С. 3-6.
97. Комаров В. А. и др. Кинетические явления и структура пленок висмута // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена. 2006. Т. 6, № 15. С. 131-143.
98. Комаров В. А. и др. Структура и явления переноса в пленках висмута, легированного теллуром // Термоэлектрики и их применения: доклады XIII Межгосударственного семинара. Санкт-Петербург, 2013. С. 358-363.
99. Комаров В. А. Исследование кинетических свойств пленок висмута на различных подложках: дис. … канд. физ.-мат. наук / ЛГПИ им. А. И. Герцена, 1989. 117 с.
100. Комаров В. А. Механизмы рассеяния носителей заряда в пленках висмута // Термоэлектрики и их применения: доклады VIII Межгосударственного семинара (ноябрь 2002 г.), Санкт-Петербург, ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН. СПб.: Изд. ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, 2002. С. 237-242.
101. Комаров В. А., Жеребцова Д. Н. Измерение термоэдс пленок полуметаллов на тонких подложках // Физика полупроводников и полуметаллов (ФПП-2002): тезисы докладов Всероссийской научной конференции. Санкт-Петербург, 4-6 февраля 2002 г. СПб.: Изд-во РГПУ им. А. И. Герцена, 2002. С. 222-223.
102. Комаров В. А., Каблукова Н. С., Слепнев С. В. Влияние плоскостной деформации на гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута и висмут-сурьма // Термоэлектрики и их применения: доклады XI Межгосударственного семинара (14-15 ноября 2008 г.), Санкт-Петербург, ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН. СПб.: Изд. ПИЯФ РАН, 2008. С. 310-315.
103. Комник Ю. Ф., Андриевский В. В. Кинетические свойства тонких пленок висмута // ФНТ. 1975. Vol. 1. P. 104-109.
104. Комник Ю. Ф. et al. Особенности температурной зависимости сопротивления тонких пленок висмута // ЖЭТФ. 1971. Vol. 60. P. 669.
105. Комник Ю. Ф. Физика металлических пленок. Размерные и структурные эффекты. М.: Атомиздат, 1979. 264 с.
106. Комник Ю. Ф. Электронографические наблюдения процесса образования тонких металлических пленок // ФММ. 1963. Т. 16, № 6. С. 867-871.
107. Кондаков О. В. Магнитооптический эффект в висмуте. СПб.: РГПУ им. А. И. Герцена, 2002. 249 с.
108. Коренблит И. Я. Теория термоэлектрических и термомагнитных свойств висмута при низких температурах // ФТТ. 1968. Vol. 2, № 10. P. 1425-1435.
109. Косевич В. М. и др. О форме частиц металлических конденсатов на начальных стадиях роста // ФТТ. 1964. Т. 6. С. 3240-3244.
110. Костов И. Кристаллография. М.: Мир, 1965. 528 с.
111. Крушельницкий А. Н. Влияние размерных эффекторв на гальваномагнитные явления в тонких пленках висмута: дис. … канд. физ.-мат. наук / РГПУ им. А. И. Герцена, 2017. 151 с.
112. Крэкнелл А., Уонг К. Поверхность Ферми. М.: Атомиздат, 1978. 350 с.
113. Кукушкин С. А., Осипов А. В. Процессы конденсации тонких пленок // Успехи физических наук. 1998. Т. 168, № 10. С. 1083-1116.
114. Кукушкин С. А., Слезов В. В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход). СПб.: Наука, 1996. 304 с.
115. Купреенко С. Ю. и др. Определение толщин ультратонких поверхностных пленок в наноструктурах по энергетическим спектрам отраженных электронов // Журнал технической физики. 2015. Т. 85, № 10. С. 101-104.
116. Левицкий Ю. Т., Иванов Г. А. Высокотемпературные исследования электрических и гальваномагнитных свойств сплавов Bi-Sb // ФММ. 1969. Т. 28, № 3. С. 804-812.
117. Лобанов М. Л. и др. Методы исследования текстур в материалах: учебно-методическое пособие. Екатеринбург: Изд-во Уральского ун-та, 2014. 115 с.
118. Луцкий В. Н. Об особенностях оптического поглощения металлических пленок в области превращения металла в диэлектрик // Письма в ЖЭТФ. 1965. Т. 2, № 8. С. 391.
119. Мальцев А. С., Грабов В. М., Кухарский А. А. Особенности спектров плазменного отражения анизотропных кристаллов // Оптика и спектроскопия. 1985. Т. 58, № 4. С. 927-929.
120. Миронова Г. А., Пономарев Я. Г. О законе дисперсии носителей тока у сплавов Bi1-xSbx при x № 0.12 // ФНТ. 1979. Т. 5, № 5. С. 542-546.
121. Миронова Г. А., Судакова М. В. Исследование зонной структуры полупроводниковых сплавов Bi1-xSbx // ЖЭТФ. 1980. Т. 78, № 5. С. 1830-1851.
122. Миронова Г. А., Судакова М. В., Пономарев Я. Г. Закон дисперсии носителей в сплавах Bi1-xSbx // ФТТ. 1980. Т. 22, № 12. С. 3628-3634.
123. Михайличенко Т. В. Условия получения и электрические свойства пленок висмута: дис. … канд. физ.-мат. наук / ЛГПИ им. А. И. Герцена, 1973. 135 с.
124. Михайличенко Т. В., Налетов В. Л., Рощин В. В. Исследование диаграммы состояний сплавов висмут-сурьма, богатых висмутом // Полуметаллы: cб. науч. статей. Л.: ЛГПИ им. А.И. Герцена, 1968. С. 12-15.
125. Мокиевский Л. И., Иванов Г. А. Электрические свойства сплавов висмута. III. Тройные сплавы, «возвращенные» к свойствам висмута // ЖТФ. 1957. Т. 27, № 8. С. 1695-1706.
126. Никольская Е. И., Регель А. Р. Некоторые электрические характеристики твердых растворов // Журнал технической физики. 1955. Т. 21. С. 1352- 1356.
127. Овсянов В. М., Налетов В. Л. Вероятность блочной структуры монокристаллов висмута, выращенных от различноориентированных затравок // Физика твердого тела. Тезисы докладов к межвузовской научной конференции. Барнаул: БГПИ, 1984. С. 4-6.
128. Огрин Ю. Ф., Луцкий В. Н., Елинсон М. И. О наблюдении квантовых размерных эффектов в тонких пленках висмута // Письма в ЖЭТФ. 1966. Т. 3, № 3. С. 114-118.
129. Палатник Л. С. и др. Выращивание монокристаллических пленок под защитным покрытием // ПТЭ. 1975. № 6. С. 243-245.
130. Палатник Л. С., Гладких Н. Г., Набока М. Н. О второй (нижней) граничной температуре конденсации In, Sb, Pb и Bi // ФТТ. 1962. Т. 4. С. 202-206.
131. Палатник Л. С., Ильинский А. И. Механические свойства металлических пленок // УФН. 1968. Т. 95, № 4. С. 613-645.
132. Палатник Л. С., Комник Ю. Ф. К вопросу о механизме конденсации металлов в вакууме // ДАН СССР. 1959. Т. 124, № 4. С. 808-811.
133. Палатник Л. С., Косевич В. М., Литвиненко Ю. Г. Влияние температуры подложки и толщины слоя на структуру конденсатов висмута // ФММ. 1963. Т. 15. С. 371-378.
134. Палатник Л. С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1972. 320 с.
135. Палатник Л. С., Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. 320 с.
136. Палатник Л. С., Черемской П. Г., Фукс М. Я. Поры в пленках. М.: Энергоиз-дат, 1982. 215 с.
137. Пономарев Я. Г. Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах: дис. … д-ра физ.-мат. наук / МГУ, 1984. 605 с.
138. Пшенай-Северин Д. А., Равич Ю. И. Расчет подвижности и термоэлектрической эффективности многослойных структур с квантовыми ямами // ФТП. 2002. Т. 36, № 8. С. 974-980.
139. Регель А. Р. и др. Материал для анизотропных термоэлементов. А. С. № 245859 СССР от 3 апреля 1969.
140. Сандомирский В. Б. Квантовый размерный эффект в полуметаллах // ЖЭТФ. 1967. Т. 52, № 1. С. 158.
141. Слезов В. В., Сагалович В. В. Диффузионный распад твердых растворов // УФН. 1987. Т. 151, № 1. С. 67-104.
142. Соболев В. В. Энергетическая структура узкозонных полупроводников. Кишинев: Штиинца, 1983. 288 с.
143. Степанов Н. П., Грабов В. М. Взаимодействие электромагнитного излучения с кристаллами висмута и сплавов висмут-сурьма в области плазменных эффектов. СПб.: РГПУ им. А. И. Герцена, 2003. 169 с.
144. Степанов Н. П., Грабов В. М., Вольф Б. Г. Влияние межзонных переходов на затухание плазменных колебаний в сплавах висмут-сурьма // ФТП. 1989. Т. 23, № 7. С. 1312-1314.
145. Фальковский Л. А. Электронные свойства полуметаллов. М.: ИПФ АН СССР, 1976. 24 с.
146. Фальковский Л. А. Физические свойства висмута // Успехи физических наук. 1968. Т. 94, № 1. С. 3-41.
147. Хирс Д., Паунд Г. Испарение и конденсация. М.: Металлургия, 1966. 196 с.
148. Цидильковский И. М. Термомагнитные явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1960. 396 с.
149. Чернов А. А., Гиваргизов Е. И., Багдасаров Х. С. Современная кристаллография. Т. 3. Б. К. Вайнштейн М.: Наука, 1980. 408 с.
150. Чудинов С. М. Фазовые электронные переходы в магнитном поле: автореф. дис. … д-ра физ.-мат. наук / МГУ. 1979. 56 с.
151. Шенберг Д. Магнитные осцилляции в металлах. М.: Мир, 1986. 680 с.
152. Эдельман В. С. Исследование свойств электронов в висмуте. М.: ИФП АН СССР, 1975. 24 с.
153. Эдельман В.С. Свойства электронов в висмуте // УФН. 1977. Т. 123, № 2. С. 257-287.
154. Abou El Ela A. H., Mahmoud S., Mahmoud M. A. Electrical conduction of thin bismuth films // Acta Physica Academiae Scientiarum Hungaricae. 1982. Vol. 52, № 2. P. 143-151.
155. Boffoué M.O. et al. Pulsed laser deposition of bismuth in the presence of different ambient atmospheres // Thin Solid Films. 1998. Vol. 322, № 1-2. P. 132-137.
156. Boyle W. S., Smith G. E. Bismuth // Progress in Semiconductors. 1963. № 7. P. 1-44.
157. Braune W. et al. Microwave Spectroscopy in Semimetallic Bismuth-Antimony Alloys // Phys. Stat. Sol. (b). 1978. Vol. 89, № 1. P. 95-101.
158. Brown R. N. et al. Interband Magnetoreflection in Bismuth. II. Low Fields // Physical Review Letters. American Physical Society, 1960. Vol. 5, № 6. P. 243.
159. Brown R. N., Hartmann R. L., Koenig S. H. Tilt of the Electron Fermi Surface in Bi // Phys. Rev. 1968. Vol. 172, № 3. P. 598-602.
160. Butto C., Berty J. Influence des conditions de préparation sur les propriétés élec-triques des couches minces polycristallines de bismuth // Thin Solid Films. 1985. Vol. 131, № 3-4. P. 185-196.
161. Buxo J. et al. Structural study of bismuth films and its consequences on their electrical properties // Revue Phys. Appl. 1980. Vol. 15. P. 961-972.
162. Chien C. L. et al. Very large magnetoresistance in electrodeposited single-crystal Bi thin films (invited) // Journal of Applied Physics. 2000. Vol. 87, № 9. P. 4659.
163. Cohen M. H. Energy bands in the bismuth structure. 1. A. Nonellipsoidal model for electrons In Bi // Phys. Rev. 1961. Vol. 121, № 2. P. 387-395.
164. Cohen M. H., Falicov L. M., Golin S. Crystal chemistry and band structures of the group V semimetals and the IV-VI semiconductors // IBM J. Res. and Develop. 1964. Vol. 8, № 3. P. 215-227.
165. Cucka P., Barret C. S. The Crystal Structure of Bi and of Solid Solution of Pb, Sn, Sb and Te in Bi // Acta Cryst. 1961. Vol. 121, № 2. P. 387-395.
166. Dauscher A. et al. Unusual growth of pulsed laser deposited bismuth films on Si(100) // Appl. Surf. Sci. 1999. Vol. 138-139. P. 188-194.
167. De Sande J. C. G., Missana T., Afonso C. N. Optical properties of pulsed laser deposited bismuth films // J. Appl. Phys. 1996. Vol. 80, № 12. P. 7023-7027.
168. Dresselhaus M. S. Electronic Properties of the group V semimetals // J. Phys. Chem. Solids. 1971. Vol. 32, № 1. P. 3-33.
169. Duggal V. P., Rup R. Thickness-Dependent Oscillatory Behavior of Resistivity and Hall Coefficient in Thin Single-Crystal Bismuth Films // Journal of Applied Physics. AIP Publishing, 1969. Vol. 40, № 2. P. 492-495.
170. Ellett M. R. et al. Shubnikov de Haas Investigations of the Bi1-xSbx (0 < x № 0.3) System // J. Phys. Soc. Japan. 1966. Vol. 21, № Suppl. P. 666-672.
171. Fraundorf P. et al. Making sense of nanocrystal lattice fringes // Journal of Applied Physics. American Institute of Physics, 2005. Vol. 98, № 11. P. 114308.
172. Goldsmid H. J. Bismuth-antimony alloys // Phys. Stat. Sol. (a). 1970. Vol. 1, № 1. P. 7-28.
173. Goldsmid H. J. Transport Effect in Semimetals and Narrow Gap Semiconductors // Adv. Phys. 1965. Vol. 14, № 55. P. 273-326.
174. Grabov V. M. et al. The Galvanomagnetic Properties of Bismuth Films with Thicknesses of 15-150 nm on Mica Substrates // Университетский научный журнал. 2017. № 27. P. 56-68.
175. Hattab H. et al. Epitaxial Bi(111) films on Si(001): Strain state, surface morphology, and defect structure // Thin Solid Films. 2008. Vol. 516, № 23. P. 8227- 8231.
176. Hirahara T. et al. Quantum well states in ultrathin Bi films: Angle-resolved pho-toemission spectroscopy and first-principles calculations study // Physical Review B. 2007. Vol. 75, № 3. P. 035422.
177. Hirahara T. et al. Role of spin-orbit coupling and hybridization effects in the electronic structure of ultrathin Bi films // Physical review letters. 2006. Vol. 97, № 14. P. 146803.
178. Hoffman C. A. et al. Semimetal-to-Semiconductor Transition in Bismuth Thin-Films // Physical Review B. 1993. Vol. 48, № 15. P. 11431-11434.
179. Hofmann P. The surfaces of bismuth: Structural and electronic properties // Progress in Surface Science. 2006. Vol. 81, № 5. P. 191-245.
180. Holl I. J., Koenig S. H. Transport Properties and Band Structure in Bi, Sb and Bi-Sb Alloys // IBM J. Res. Dev. 1964. Vol. 8, № 3. P. 241-246.
181. Issi J. P. Low temperature transport properties of the group V semimetals // Aus-tralien J. Phys. 1979. Vol. 32, № 6. P. 585-628.
182. Jnawali G. et al. Lattice accommodation of epitaxial Bi(111) films on Si(001) studied with SPA-LEED and AFM // Phys. Rev. B. 2006. Vol. 74, № 19. P. 195340.
183. Komarov V. A., Suslov A. V., Suslov M. V. Galvanomagnetic properties of Bi85Sb15 thin films on different substrates // Semiconductors. 2017. Vol. 51, № 6. P. 702-705.
184. Kukushkin S. A., Osipov A. V. Soliton model of island migration in thin films // Surf. Sci. 1995. Vol. 329, № 1-2. P. 135-140.
185. Lax B. et al. Infrared Magnetoreflection in Bismuth. I. High Fields // Physical Review Letters. American Physical Society, 1960. Vol. 5, № 6. P. 241.
186. Lee H. J. et al. Thermoelectric properties of n-type Bi-Te thin films with various compositions // Microelectronic Engineering. 2011. Vol. 88. P. 593-596.
187. Lin Y.-M., Sun X., Dresselhaus M.S. Theoretical investigation of thermoelectric transport properties of cylindrical Bi nanowires // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 62, № 7. P. 4610.
188. Lu M. et al. Low-temperature electrical-transport properties of single-crystal bismuth films under pressure // Physical Review B. 1996. Vol. 53, № 3. P. 1609- 1615.
189. Macfarlane F. E. Lattice Dynamics of Bismuth // J. Phys. Chem. Sol. 1971. Vol. 32, № 1. P. 989-995.
190. Maitland T., Sitzman S. Backscattering Detector and EBSD in Nanomaterials Characterization // Scanning Microscopy for Nanotechnology / ed. Zhou et al. New York, NY: Springer New York, 2007. P. 41-75.
191. Mavroides J. H. Magneto-optics // High Magnetic Fields and their Application. Nottidham, 1969. P. 16-70.
192. Mayadas A. F., Shatzkes M. Electrical-Resistivity Model for Polycrystalline Films: the Case of Arbitrary Reflection at External Surfaces // Physical Review B. 1970. Vol. 1, № 4. P. 1382-1389.
193. McClure J. W., Choi K. H. Energy band model and properties of electrons in bismuth // Solid State Communications. 1977. Vol. 21, № 11. P. 1015-1018.
194. Michenaud J. P. et al. Umkehreffect and Crystal Simmetry of Bismuth // Solid Stat. Commun. 1970. Vol. 8, № 6. P. 455-458.
195. Nagao T. et al. Strong lateral growth and crystallization via two-dimensional al-lotropic transformation of semi-metal Bi film // Surface Science. 2005. Vol. 590, № 1. P. 247-252.
196. Nahm S. et al. Transmission electron microscopy studies of bismuth films // Journal of Materials Research. 1990. Vol. 5, № 4. P. 784-788.
197. Nishikawa S., Kikuchi S. Diffraction of Cathode Rays by Mica // Nature. 1928. Vol. 121, № 3061. P. 1019-1020.
198. Oelgart G. et al. Fermi Surface and Helicons in Semiconducting Bi1-xSbx Alloys // Phys. Stat. Sol. (b). 1976. Vol. 73, № 2. P. 615-624.
199. Pariset C. Effet dimensionnel classique dans des couches minces de bismuth et d’antimoine // Thin Solid Films. 1982. Vol. 91, № 4. P. 301-320.
200. Partin D. L. et al. Growth and characterization of epitaxial bismuth films // Physical Review B. American Physical Society, 1988. Vol. 38, № 6. P. 3818-3824.
201. Patterson J. On the effect of a magnetic field on the resistance of thin metallic films // Mathematical Proceedings of the Cambridge Philosophical Society. 1901. Vol. 11. P. 118-119.
202. Rogacheva E. I. et al. Quantum-size effects in n-type bismuth thin films // Applied Physics Letters. 2003. Vol. 82, № 16. P. 2628-2630.
203. Rogacheva E. I., Lyubchenko S. G., Dresselhaus M.S. Semimetal-semiconductor transition in thin Bi films // Thin Solid Films. 2008. Vol. 516, № 10. P. 3411- 3415.
204. Rosenbaum R., Galibert J. Parallel magnetoresistance of a polycrystalline bismuth film in high magnetic fields // Physica B: Condensed Matter. 2004. Vol. 346-347, № 1-4. P. 291-295.
205. Sadale S. B., Patil P. S. Nucleation and growth of bismuth thin films onto fluorine-doped tin oxide-coated conducting glass substrates from nitrate solutions // Solid State Ionics. 2004. Vol. 167, № 3-4. P. 273-283.
206. Saunders G. A. Semimetals and narrow gap semiconductors // Contemporary Physics. Taylor & Francis Group, 1973. Vol. 14, № 2. P. 149-166.
207. Sosnowski J. et al. Phonon Dispersion Relation in the Bi0.95Sb0.05 Alloy // Phys. Stat. Sol. (b). 1981. Vol. 104, № 1. P. 97-100.
208. Stoelzer M., Bechstein V., Meusel J. Crystalline structure and thermoelectric properties versus growing conditions of sputtering-deposited (Bi1-xSbx)2Te3 films with 0 ≤ x ≤0.85 // International Conference on Thermoelectrics, ICT, Proceedings. 1997. P. 93-96.
209. Suslov M. V., Komarov V. A., Suslov A. V. Thermoelectric power of Bi92Sb8 and Bi85Sb15 thin films // Semiconductors. 2017. Vol. 51, № 7. P. 862-865.
210. Tan J. et al. Thermoelectric properties of bismuth telluride thin films deposited by radio frequency magnetron sputtering // Proceedings of SPIE. The International Society for Optical Engineering. 2005. Vol. 5836, № 85. P. 711-718.
211. Thieme F., Kirstein W. Influence of grain boundaries on the electrical resistivity of thin polycrystalline films: A correlation between the Mayadas-Shatzkes and the Wissmann-Wedler equations // Thin Solid Films. 1975. Vol. 30, № 2. P. 371- 375.
212. Van Hulst J. A., Jaeger H. M., Radelaar S. Epitaxial growth of bismuth films and bismuth-antimony heterostructures // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 52, № 8. P. 5953- 5961.
213. Vecchi M. P., Mendez E., Dresselhaus M. S. Temperature Dependence of the Band Parameters in Bi and Bi1-xSbx Alloys // Proc. 13th Internat. Conf. Phys. Semicond. Rome, 1976. P. 459-462.
214. Vereecken P.M. et al. Magnetotransport properties of bismuth films on p-GaAs // Journal of Applied Physics. AIP Publishing, 2000. Vol. 88, № 11. P. 6529.
215. Walton D. Nucleation of Vapor Deposits // Chem. Phys. 1962. Vol. 37, № 10. P. 2182-2188.
216. Wojciechowski K. et al. Characterization of thermoelectric properties of layers obtained by pulsed magnetron sputtering // J. Vacuum Science and Technology A&B. 1997. Vol. 82, № 10. P. 1003-1006.
217. Wu K. S., Chern M. Y. Electrical transport properties of n-type (110)-oriented bismuth thin films grown at 110 K on glass substrates // Journal of Applied Physics. AIP Publishing, 2008. Vol. 104, № 3. P. 033704.
218. Wu K. S., Chern M. Y. Temperature-dependent growth of pulsed-laser-deposited bismuth thin films on glass substrates // Thin Solid Films. 2008. Vol. 516, № 12. P. 3808-3812.
219. Yang F. Y. Large Magnetoresistance of Electrodeposited Single-Crystal Bismuth Thin Films // Science. 1999. Vol. 284, № 5418. P. 1335-1337.
220. Yang M., Hu Z. Electrodeposition of bismuth onto glassy carbon electrodes from nitrate solutions // Journal of Electroanalytical Chemistry. 2005. Vol. 583, № 1. P. 46-55.
221. Yarnell I. L. et al. Phonon Dispersion Curves in Bismuth // IBM J. Res. Dev. 1964. Vol. 8, № 3. P. 234-240.
222. Zitter R. H. Small-field galvanomagnetic tensor of Bi at 4.2 K // Phys. Rev. 1962. Vol. 127, № 5. P. 1471-1480.