TY  - JOUR
T1  - Явления переноса в кристаллах с произвольным законом дисперсии носителей заряда в произвольном магнитном поле
JF  - Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
AU  - Грабов, Владимир Минович
AU  - Парахин, Александр Сергеевич
Y1  - 2023-07-10
UR  - https://rep.herzen.spb.ru/publication/10060
N2  - В кристаллах типа висмута экспериментальные зависимости явлений переноса от температуры, содержания легирующих примесей, магнитного поля хорошо аппроксимируются результатами численного моделирования на основе установленных для этих кристаллов закономерностей энергетического спектра механизмов релаксации носителей заряда без общепринятых упрощающих предположений. Разработанный подход может быть использован при анализе электронных явлений переноса в электропроводящих кристаллах любого типа.