RT - научная статья
SR - Electronic
T1 - Проводимость нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников с U-минус-центрами, подвергнутых высокому давлению
JF - Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
SP - 2023-07-10
A1 - Цэндин, Константин Дамдинович
A1 - Капустин, Алексей Игоревич
A1 - Барыгин, Илья Алексеевич
YR - 2006
UL - https://rep.herzen.spb.ru/publication/10014
AB - Рассмотрена модель халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) и высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), в которой принимается во внимание статистическое взаимодействие носителей, принадлежащих валентной зоне и системе U-минус-центров. При этом валентная зона моделируется системой из двух уровней. Показано, что такая модель принципиально позволяет описать особенности температурных зависимостей проводимости ХСП и ВТСП, наблюдаемых экспериментально в этих материалах при высоких давлениях.