PT - JOURNAL ARTICLE
AU - Цэндин, Константин Дамдинович
AU - Капустин, Алексей Игоревич
AU - Барыгин, Илья Алексеевич
TI - Проводимость нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников с U-минус-центрами, подвергнутых высокому давлению
DP - 2023-07-10
TA - Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
SO - https://rep.herzen.spb.ru/publication/10014
AB - Рассмотрена модель халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) и высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), в которой принимается во внимание статистическое взаимодействие носителей, принадлежащих валентной зоне и системе U-минус-центров. При этом валентная зона моделируется системой из двух уровней. Показано, что такая модель принципиально позволяет описать особенности температурных зависимостей проводимости ХСП и ВТСП, наблюдаемых экспериментально в этих материалах при высоких давлениях.