<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Цэндин Константин Дамдинович</author>
     <author>Капустин Алексей Игоревич</author>
     <author>Барыгин Илья Алексеевич</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Проводимость нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников с U-минус-центрами, подвергнутых высокому давлению</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>высокотемпературные сверхпроводники</keyword>
    <keyword>Проводимость нормальной фазы</keyword>
    <keyword>халькогенидные стеклообразные полупроводники</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2006</year>
    <pub-dates>
     <date>2023-07-10</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена</journal>
   <abstract>Рассмотрена модель халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) и высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), в которой принимается во внимание статистическое взаимодействие носителей, принадлежащих валентной зоне и системе U-минус-центров. При этом валентная зона моделируется системой из двух уровней. Показано, что такая модель принципиально позволяет описать особенности температурных зависимостей проводимости ХСП и ВТСП, наблюдаемых экспериментально в этих материалах при высоких давлениях.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://rep.herzen.spb.ru/publication/10014</url>
    </web-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
